像敏單元結構指每個成像單元的電路結構，是CMOS圖像傳感器的核心組件。像敏單元結構的兩種類型，即被動像敏單元結構和主動像敏單元結構。前者只包含光敏二極管和地址選通開關兩部分。其中像敏單元圖像信號的讀出時序首先是復位脈沖復位操作，光敏二極管的輸出電壓被置0，接著光敏二極管開始光信號的積分。當積分工作結束時，選址脈沖啟動選址開關，光敏二極管中的信號便傳輸到列總線上，然后經過公共放大器放大后輸出。
被動像敏單元結構的缺點是固定圖案噪 聲大、圖像信號的信噪比較低。
主動像敏單元結構是當前得到實際應用的結構。它與被動像敏單元結構的最主要區別是：在敏個像敏單元都經過放大后，才通過場效應晶體管模擬開關傳輸，所以固定圖案噪聲大為降低，圖像信號的信噪比顯著提高。
主動式像敏單元結構是場效應晶體管VT1構成光敏二極管的銷聲匿跡，它的柵極接在復位信號線上，當復位脈沖到來時，VT1導通，光敏二極管被瞬時復位;當復位脈沖消失后，VT1截止，光敏二極管開始積分光信號。VT2為源極跟隨器，它將光敏二極管的高阻搞輸出信號進行電流放大。VT3用做選址模擬開關，當選通脈沖到來時，VT3導通，使被放大的光電信號輸送到列總線上。 |
當前位置：
